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A1P35S12M3-F
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
技术参数:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1
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技术参数详情:
制造商产品型号:A1P35S12M3-F制造商:ST意法半导体描述:IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止配置:三相反相器电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):35A功率-最大值:250W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,35A电流-集电极截止(最大值):100μA不同?Vce时输入电容(Cies):2154pF @ 25V输入:标准NTC热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:模块现在可以订购A1P35S12M3-F,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。