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A1P50S65M2
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
  • 技术参数:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营ST芯片半导体
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:A1P50S65M2
  • 制造商:ST意法半导体
  • 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:208W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
  • 电流-集电极截止(最大值):100μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):4150pF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
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