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L6387ED013TR
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：L6387ED013TR制造商：ST意法半导体描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压-供电：17V（最大）逻辑电压?-VIL，VIH：1.5V，3.6V电流-峰值输出（灌入，拉出）：400mA，650mA输入类型：反相高压侧电压-最大值（自举）：600V上升/下降时间（典型值）：50ns，30ns工作温度：-45°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购L6387ED013TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
