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L6571B 图片
L6571B
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
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    专营ST芯片半导体
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:L6571B
  • 制造商:ST意法半导体
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:10V ~ 16.6V
  • 逻辑电压?-VIL,VIH:-
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):170mA,270mA
  • 输入类型:RC 输入电路
  • 高压侧电压-最大值(自举):600V
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
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