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STD11N60M2-EP
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DPAK
技术参数:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:STD11N60M2-EP制造商:ST意法半导体描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:MDmesh? M2-EP零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):7.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):595 毫欧 @ 3.75A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.4nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):85W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:DPAK现在可以订购STD11N60M2-EP,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。