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STG3P2M10N60B
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:SEMITOP?2
技术参数:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
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技术参数详情:
制造商产品型号:STG3P2M10N60B制造商:ST意法半导体描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:停产IGBT类型:-配置:三相反相器电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):19A功率-最大值:56W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A电流-集电极截止(最大值):10μA不同?Vce时输入电容(Cies):0.72nF @ 25V输入:单相桥式整流器NTC热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:底座安装封装:SEMITOP?2现在可以订购STG3P2M10N60B,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。