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STGB20M65DF2
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
技术参数:IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:STGB20M65DF2制造商:ST意法半导体描述:IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:M零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):40A电流-集电极脉冲(Icm):80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A功率-最大值:166W开关能量:140μJ(开),560μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:63nC25°C时Td(开/关)值:26ns/108ns测试条件:400V,20A,12 欧姆,15V反向恢复时间(trr):166ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB现在可以订购STGB20M65DF2,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。