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STGB30H65FB
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGB30H65FB制造商：ST意法半导体描述：IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HB零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A功率-最大值：260W开关能量：151μJ（开），293μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：149nC25°C时Td（开/关）值：37ns/146ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购STGB30H65FB，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
