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STGD3NB60HDT4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 600V 10A 50W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGD3NB60HDT4制造商：ST意法半导体描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：50W开关能量：33μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：21nC25°C时Td（开/关）值：5ns/53ns测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：95ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购STGD3NB60HDT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
