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STGD5NB120SZT4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 1200V 10A 75W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGD5NB120SZT4制造商：ST意法半导体描述：IGBT 1200V 10A 75W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：不適用於新設計IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：10A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，5A功率-最大值：75W开关能量：2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：690ns/12.1μs测试条件：960V，5A，1 千欧，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购STGD5NB120SZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
