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STGP20M65DF2
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT TRENCH 650V 40A TO220
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGP20M65DF2制造商：ST意法半导体描述：IGBT TRENCH 650V 40A TO220系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：M零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A功率-最大值：166W开关能量：140μJ（开），560μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：63nC25°C时Td（开/关）值：26ns/108ns测试条件：400V，20A，12 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：166ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3现在可以订购STGP20M65DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
