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STGW25H120DF2
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW25H120DF2制造商：ST意法半导体描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A电流-集电极脉冲(Icm)：100A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，25A功率-最大值：375W开关能量：600μJ（开），700μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：100nC25°C时Td（开/关）值：29ns/130ns测试条件：600V，25A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：303ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGW25H120DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
