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产品参考图片
STGW80H65FB-4 图片
STGW80H65FB-4
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-4
  • 技术参数:IGBT BIPO 650V 80A TO247
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    专营ST芯片半导体
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGW80H65FB-4
  • 制造商:ST意法半导体
  • 描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):120A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):240A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
  • 功率-最大值:469W
  • 开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:414nC
  • 25°C时Td(开/关)值:84ns/280ns
  • 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-4
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