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STGW80H65FB-4
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-4
技术参数：IGBT BIPO 650V 80A TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW80H65FB-4制造商：ST意法半导体描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：120A电流-集电极脉冲(Icm)：240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A功率-最大值：469W开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：414nC25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-4现在可以订购STGW80H65FB-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
