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STGW80V60F
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V 120A 469W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGW80V60F制造商：ST意法半导体描述：IGBT 600V 120A 469W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：120A电流-集电极脉冲(Icm)：240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，80A功率-最大值：469W开关能量：1.8mJ（开），1mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：448nC25°C时Td（开/关）值：60ns/220ns测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGW80V60F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
