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STGWA30N120KD
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 60A 220W TO247
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGWA30N120KD制造商：ST意法半导体描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：100A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，20A功率-最大值：220W开关能量：2.4mJ（开），4.3mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：105nC25°C时Td（开/关）值：36ns/251ns测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：84ns工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购STGWA30N120KD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
