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STS10P3LLH6
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SO
技术参数：MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：STS10P3LLH6制造商：ST意法半导体描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：STripFET? H6零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3350pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SO现在可以订购STS10P3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
