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STW35N65DM2
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-247
  • 技术参数:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
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    专营ST芯片半导体
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STW35N65DM2
  • 制造商:ST意法半导体
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:MDmesh? DM2
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):32A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):110毫欧 @ 16A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):56.3nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2540pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):250W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247
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