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ST推出高能效反激式转换器副边同步整流(SR)芯片 SRK1000A和SRK1000B

意法半导体推出高能效和低功耗为特色的反激式转换器副边同步整流(SR)芯片SRK1000A和SRK1000B,该产品系列现在新增一款更划算、封装更小的产品,可用于充电器、快速充电器、适配器和USB PD端口。

 

这两款器件采用最小延迟快速导通设计和创新的自适应关断技术,无需增加外部组件即可最大限度延长同步整流MOSFET管的导通时间,并最大程度降低电路中的寄生电感效应,从而使电路系统能效大幅改善,物料清单成本明显降低。

 

SRK1000A和SRK1000B两款产品都能用于各种反激式控制器,包括高达300kHz固定频率的准谐振(QR)和CCM/DCM混合模式反激式拓扑,简化系统设计。两款器件都可以通过选择电阻来设定导通(TON)后的消隐时间,以防止噪声引起杂散问题。SRK1000A关断(TOFF)后消隐时间固定在2μs,SRK1000B是3μs。

 

这两款器件均有轻载低功耗省电模式,当同步整流不再需要时,控制器便进入低功耗睡眠模式。 实现方法是检测原边控制器是否进入突发模式或同步整流MOSFET管的导通时间是否低于TON最小预设值。控制器低功耗模式静态电流仅为160μA。

 

SRK1000A和SRK1000B适用于最高19V的输出电压,在CCM模式下能够将稳压输出保持至2V,支持4.5V-32V宽压电源,漏-源极电压额定100V。输出灌电流高达1A,拉电流最高0.6A,用于控制外部N沟道同步整流MOSFET管的栅极。

 

SRK1000A和SRK1000B均采用2.9mm x 2.8mm 6引脚SOT23-6L封装。

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